[发明专利]等离子设备及其控制方法有效
申请号: | 201310145960.2 | 申请日: | 2013-04-24 |
公开(公告)号: | CN104124184B | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
发明(设计)人: | 武小娟 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100026 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种等离子设备及其控制方法,涉及等离子技术领域,可实现耦合窗的均匀加热,减少等离子反应室初始化稳定时间,提高连续工艺过程的稳定性及设备的产出率。所述等离子设备包括等离子反应室;等离子反应室包括用于对耦合窗进行温度控制的温控装置,温控装置包括主加热器,用于从耦合窗的边缘对耦合窗进行加热;辅助加热器,用于对述耦合窗的中心区域进行加热;第一测温单元,设置于耦合窗的边缘,用于测量耦合窗边缘的温度;第二测温单元,设置于耦合窗的中心区域,用于测量耦合窗中心区域的温度;温控器,用于根据第一测温单元及第二测温单元反馈的测量值,控制主加热器和辅助加热器,以使耦合窗的温度维持在预设值。 | ||
搜索关键词: | 等离子 设备 及其 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种等离子设备,包括:等离子反应室;所述等离子反应室包括:耦合窗;其特征在于,所述等离子设备还包括:提升装置,内置有射频源的线圈盒和用于对所述耦合窗进行温度控制的温控装置,所述温控装置包括:主加热器,设置在所述耦合窗的边缘,用于从所述耦合窗的边缘对所述耦合窗进行加热;辅助加热器,设置在所述耦合窗外表面的中心区域,用于对所述耦合窗的中心区域进行加热;第一测温单元,设置于所述耦合窗的边缘,用于测量所述耦合窗边缘的温度;第二测温单元,设置于所述耦合窗的中心区域,用于测量所述耦合窗中心区域的温度;温控器,用于根据所述第一测温单元及所述第二测温单元反馈的测量值,控制所述主加热器和所述辅助加热器,以使所述耦合窗的温度维持在预设值;所述线圈盒设置在所述耦合窗之上;所述提升装置包括:提升柄,所述提升柄的末端穿过所述线圈盒的上壁延伸至所述线圈盒内,所述辅助加热器及所述第二测温单元设置在所述提升柄的末端,所述提升柄的提升高度使得所述提升柄提升后所述辅助加热器及所述第二测温单元被提升至所述线圈盒上壁,或者,所述线圈盒的上壁设置有过孔,所述提升柄的提升高度使得所述提升柄提升后,所述辅助加热器及所述第二测温单元经所述过孔被提升至所述线圈盒的外部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造