[发明专利]一种抬升共源区的NOR型闪存单元及其制备方法

摘要

本发明公开了一种抬升共源区的NOR型闪存单元及其制备方法，该闪存单元包括衬底；于衬底表面之下通过注入形成的共源区和漏区；于共源区与漏区之间的衬底表面形成的沟道区；形成于沟道区之上的隧穿层；形成于隧穿层之上的存储层；形成于存储层之上的阻挡层；以及形成于阻挡层之上的栅电极；其中，该共源区形成过程中首先采用外延工艺实现共源区域的抬升，随后通过在浅槽隔离区下方和闪存单元的共源区进行离子注入形成浅槽隔离区下方与共享源区低阻连接。本发明通过引入外延工艺在实现共源区抬升的同时完成了浅槽隔离区沿沟宽方向上有源区的扩展，有效拟制了传统NOR型闪存器件尺寸缩小过程中的穿通效应，实现NOR型器件沿沟长方向的进一步按比例缩小。

主权项

一种抬升共源区的NOR型闪存单元，其特征在于，包括：衬底；于衬底表面之下通过注入形成的共源区和漏区；于共源区与漏区之间的衬底表面形成的沟道区；形成于沟道区之上的隧穿层；形成于隧穿层之上的存储层；形成于存储层之上的阻挡层；以及形成于阻挡层之上的栅电极；其中，该共源区形成过程中首先采用外延工艺实现共源区域的抬升，随后通过在浅槽隔离区下方和闪存单元的共源区进行离子注入形成浅槽隔离区下方与共享源区低阻连接；所述共源区和漏区是非对称结构，共源区通过采用外延工艺来实现共源区的抬升和在浅槽隔离区域的沿沟宽方向有源区的扩展，随后通过注入工艺及硅化工艺来完成共源区的浅结实现和降低共源区电阻；或者所述共源区和漏区是对称结构，对共源区和漏区均采用外延工艺来实现抬升，随后通过注入工艺及硅化工艺来实现低阻源漏结控制。