[发明专利]大温差样品的半球向全发射率的测量方法有效
| 申请号： | 201310146530.2 | 申请日： | 2013-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN103364434A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 符泰然;汤龙生;段明皓;王忠波;谈鹏;周金帅;邓兴凯 | 申请（专利权）人： | 清华大学;北京机电工程研究所 |
| 主分类号： | G01N25/20 | 分类号： | G01N25/20 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 韩国胜 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明具体公开了一种大温差样品的半球向全发射率的测量方法，其步骤包括：选取带状导体材料样品，在真空环境下加热样品，用辐射温度场测量设备获得加热稳定状态下的样品表面温度场分布；将所述样品沿其轴向等分为多个微元控制体，建立微元控制体的稳态能量平衡方程；基于样品的表面温度场分布以及样品两端的电压和电流，计算出在加热稳定状态下样品的半球向发射率随温度的数值分布。本发明的这种方法适用于测量具有大温度梯度分布的导体材料样品的半球向全发射率，克服了现有稳态量热法对于样品具有温度均匀测试区要求的技术局限性，极大地减小了对样品尺寸规格的限制，简单可行。 | ||
| 搜索关键词： | 温差 样品 半球 发射 测量方法 | ||
【主权项】：
一种大温差样品的半球向全发射率的测量方法，其特征在于，所述方法的步骤包括：S1.选取带状导体材料样品，在真空环境下加热所述样品，用辐射温度场测量设备获得加热稳定状态下的样品表面温度场分布；S2.将所述样品沿其轴向等分为多个微元控制体，建立微元控制体的稳态能量平衡方程；S3.基于样品的表面温度场分布以及样品两端的电压和电流，计算出在加热稳定状态下样品的半球向发射率随温度的数值分布。
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