[发明专利]基于稳态分析的半球向全发射率与导热系数的测量方法有效
| 申请号： | 201310146537.4 | 申请日： | 2013-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN103245692A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 符泰然;汤龙生;段明皓;王忠波;谈鹏;周金帅;邓兴凯 | 申请（专利权）人： | 清华大学;北京机电工程研究所 |
| 主分类号： | G01N25/20 | 分类号： | G01N25/20 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 韩国胜 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明具体公开了一种基于稳态分析的半球向全发射率与导热系数的测量方法，其步骤包括：选取一个细长带状的导体材料样品，在真空环境下通电加热，选取中间的一段区域为测试区，根据稳态量热法稳态能量平衡方程；将半球向全发射率和导热系数分别表示为关于温度的数学函数；在不同稳态温度条件下进行多组稳态测量实验，构造出不同稳态温度条件下的稳态能量平衡方程组；求出方程组中的待定参数，确定样品在不同稳态温度条件下的半球向全发射率和导热系数。本发明适用于导热系数未知情形下各种导体材料的半球向全发射率的测量，同时还可以获得导体材料的导热系数值，避免了未知导热系数给半球向全发射率测量带来的不确定性影响。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 稳态 分析 半球 发射 导热 系数 测量方法 | ||
【主权项】：
一种基于稳态分析的半球向全发射率与导热系数的测量方法，其特征在于，所述方法的步骤包括：S1.选取一个细长带状的导体材料样品，在真空环境下通电加热，选取所述样品中间的一段区域为测试区，根据稳态量热法建立所述样品的稳态能量平衡方程；S2.将所述样品的半球向全发射率和导热系数分别表示为关于温度的数学函数，以函数中的待定参数来定量表征样品的半球向全发射率与导热系数的特征；S3.在不同稳态温度条件下进行多组稳态测量实验，构造出多个不同稳态温度条件下的稳态能量平衡方程，形成一个稳态能量平衡方程组，样品半球向全发射率函数和导热系数函数中的待定参数为所述方程组中的未知数；S4.利用数值求解算法求出样品半球向全发射率函数和导热系数函数中的待定参数，得到所述样品关于温度的半球向全发射率函数和导热系数函数，从而确定所述样品在不同稳态温度条件下的半球向全发射率和导热系数。
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