[发明专利]一种垂直取向石墨烯表面修饰的集流体及其制备方法无效
| 申请号： | 201310147693.2 | 申请日： | 2013-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN103219166A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 薄拯;岑可法;严建华;王智化;池涌 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01G11/68 | 分类号： | H01G11/68;H01G11/84;H01M4/66 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直取向石墨烯表面修饰的集流体，所述的集流体的表面修饰一层垂直取向的石墨烯纳米片。本发明还公开了所述的垂直取向石墨烯表面修饰的集流体的制备方法，以碳源气体、不定型碳刻蚀气体、氩气组成的混合气体作为前驱物，采用等离子体增强化学气相沉积方法，在无需粘结剂的情况下获得垂直取向石墨烯表面修饰的集流体。本发明得到的集流体表面修饰一层由垂直取向石墨烯纳米片组成的网络结构，提供密集的石墨烯暴露边缘，有助于集流体和活性材料的充分接触，降低内阻，在应用于超级电容器和二次电池等储能装置时可实现高倍率和高功率密度储能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 取向 石墨 表面 修饰 流体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直取向石墨烯表面修饰的集流体，其特征在于，所述的集流体的表面修饰一层垂直取向的石墨烯纳米片。
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