[发明专利]一种星载延时指令全部保存与恢复的实现方法

摘要

一种星载延时指令全部保存与恢复的实现方法，在CTU和固态存储器之间通过1553B总线通信完成延时指令块的存储和恢复。存储时，CTU首先将数据从CTU SRAM拷贝到CTU的1553B总线芯片RAM中，CTU的1553B总线芯片将数据通过1553B总线传送到固态存储器的1553B总线芯片RAM中，最后固态存储器软件从固态存储器的1553B总线芯片RAM中读取数据。恢复时，固态存储器首先将数据从Flash拷贝到固态存储器的1553B总线芯片RAM中，CTU的1553B总线芯片从固态存储器的1553B总线芯片RAM索取数据到CTU的1553B总线芯片RAM中，CTU将数据从CTU的1553B总线芯片RAM拷贝的CTU SRAM中。

主权项

一种星载延时指令全部保存与恢复的实现方法，其特征在于：包括延时指令保存方法和延时指令恢复方法，其中延时指令的保存方法步骤如下：（11）为CTU和固态存储器分别配置一个用于接收和发送延时指令块的1553B总线子地址，并且在1553B总线芯片RAM中定义一个256字节的缓存区，采用循环缓存的方式接收1553B总线消息；同时设置记录指针用于指示Flash中的当前存储地址，设置“本次延时指令块数据开始地址”和“本次延时指令块数据开始地址”两个参数分别用于记录Flash中当前次及前一次存储数据的首地址，设置“本次延时指令块数据结束标志”和“上次延时指令块数据结束标志”分别用于表示当前次及前一次存储数据过程是否完成；（12）CTU将SRAM中所有延时指令块的索引记录到索引数组中，计算得到延时指令块的字节数；（13）CTU向固态存储器发送“开始记录延时指令”，通知固态存储器准备接收延时指令；固态存储器收到“开始记录延时指令”后，将当前存在的“本次延时指令块数据开始地址”、“本次延时指令块数据结束标志”分别改为“上次延时指令块数据开始地址”和“上次延时指令块数据结束标志”，同时记录此时Flash中记录指针的地址作为“本次延时指令块数据开始地址”保存，将“本次延时指令块数据结束标志”置为无效；（14）CTU按照索引数组中的索引，将延时指令块依次拷贝到CTU的1553B总线芯片RAM中，每200ms发送256字节，其中第一个256字节发送延时指令存储标识和存储的延时指令字节数，然后CTU的1553B总线芯片将延时指令块传送到固态存储器的1553B总线芯片RAM中，固态存储器再从固态存储器的1553B总线芯片RAM将延时指令块存储到固态存储器的Flash中；如果在当前存储过程中，地面注入新的延时指令块，则等待下次存储时再将新 注入的延时指令块存储到固态存储器；如果在当前存储过程中，某个延时指令块到时执行了，则在下次存储时不再存储该指令块；（15）CTU向固态存储器发送完当前SRAM中的所有延时指令块后，下一个200ms发送“结束记录延时指令”，表示本轮延时指令块存储工作结束；固态存储器收到“结束记录延时指令”后将“本次延时指令数据结束标志”置为有效，表明此次延时指令存储成功；延时指令的恢复方法步骤如下：（21）CTU在发生复位或切机后，通过1553B总线向固态存储器发送“开始恢复延时指令”，通知固态存储器准备发送延时指令；固态存储器收到“开始恢复延时指令”后，判断“本次延时指令块数据开始地址”、“本次延时指令块数据结束标志”是否均有效，如果均有效，则从“本次延时指令块数据开始地址”开始准备读出指令块数据放到固态存储器的1553B总线芯片RAM中；如果“本次延时指令块数据开始地址”、“本次延时指令块数据结束标志”有一个无效，则再判断“上次延时指令块数据开始地址”、“上次延时指令块数据结束标志”是否均有效，如果均有效，则从“上次延时指令块数据开始地址”开始准备读出指令块数据放到固态存储器的1553B总线芯片RAM中，如果“上次延时指令块数据开始地址”、“上次延时指令块数据结束标志”有一个无效，则给固态存储器的1553B总线芯片RAM填充0；（22）1s后，CTU通过1553B总线从固态存储器索取延时指令存储标识和存储的延时指令字节数，如果延时指令存储标识错误或者存储的延时指令字节数为0，则停止延时指令恢复，此次延时指令恢复失败；如果延时指令存储标识正确且存储的延时指令字节数不为0，则根据存储的延时指令块字节数以256字节为单位计算出需要从固态存储器索取延时指令块的次数，并且固态存储器 从Flash中的读取第一个256字节放到固态存储器的1553B总线芯片RAM中，等待CTU的1553B总线芯片读走；（23）CTU控制CTU的1553B总线芯片从固态存储器的总线芯片RAM中索取延时指令块，每200ms索取256字节，CTU的1553B总线芯片首先将延时指令块存储到其RAM中，然后CTU再将延时指令块从CTU的1553B总线芯片RAM拷贝到CTU的SRAM中存储，每读取一个256字节，固态存储器然后更新Flash的读出地址，将下一个256字节搬移到固态存储器的1553B总线芯片RAM中；（24）CTU对每次索取到的256字节延时指令块进行校验，包括执行时间是否超时和数据校验和是否正确，如果校验和错误或者时间超时则表明这些延时指令有误，将直接抛弃；（25）CTU从固态存储器恢复完所有延时指令后，向固态存储器发送“停止”指令，表明此次延时指令恢复工作结束。