[发明专利]功率半导体设备

摘要

本发明在此公开一种功率半导体设备，该功率半导体设备包括：漂移层，该漂移层形成在半导体衬底的第一表面上；第一导电类型的井层，该第一导电类型的井层形成在漂移层上；沟槽，该沟槽被形成以在厚度方向上通过井层到达漂移层；第一电极，该第一电极形成在沟槽内；第二导电类型的第二电极区，该第二导电类型的第二电极区形成在井层上，包括在垂直方向上与沟槽接触的第一区和在平行方向上与沟槽分隔开且与第一区垂直的第二区；第一导电类型的第二电极区，该第一导电类型的第二电极区被形成以与第二导电类型的第二电极区的侧表面接触；以及第二电极，该第二电极形成在井层上并且电连接至第二导电类型的第二电极区和第一导电类型的第二电极区。

主权项

一种功率半导体设备，该功率半导体设备包括：第一导电类型的半导体衬底，该第一导电类型的半导体衬底具有第一表面和第二表面；第二导电类型的漂移层，该第二导电类型的漂移层形成在所述半导体衬底的所述第一表面上；第一导电类型的井层，该第一导电类型的井层形成在所述漂移层上；沟槽，该沟槽被形成以在厚度方向上通过所述井层到达所述漂移层；第一电极，该第一电极形成在所述沟槽内；第二导电类型的第二电极区，该第二导电类型的第二电极区有选择地形成在所述井层上，包括在垂直方向上与所述沟槽接触的第一区和在平行方向上与所述沟槽分隔开且与所述第一区垂直的第二区，并且具有比所述漂移层更高的浓度；第一导电类型的第二电极区，该第一导电类型的第二电极区形成在所述井层上以便与所述第二导电类型的第二电极区的侧表面接触，并且具有比所述井层更高的浓度；以及第二电极，该第二电极形成在所述井层上并且电连接至所述第二导电类型的第二电极区和所述第一导电类型的第二电极区。