[发明专利]一种高可靠性的N型横向绝缘栅双极型器件及其制备工艺有效
| 申请号： | 201310148959.5 | 申请日： | 2013-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN103236437A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 刘斯扬;于朝辉;于冰;张春伟;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L21/762 |
| 代理公司： | 江苏永衡昭辉律师事务所 32250 | 代理人： | 王剑 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种高可靠性的N型横向绝缘栅双极型器件及其制备工艺，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型阱，在N型阱的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳极区，在P型体区中设有N型阴极区和P型体接触区，在N型阱的表面设有场氧化层，在P型体区的表面设有多晶硅栅，在场氧化层、P型体接触区、N型阴极区、多晶硅栅和P型阳极区的表面设有钝化层，其特征在于，嵌入N型阱的场氧化层厚度占总厚度的60%~80%，使得场氧化层露出N型阱的部分与嵌入N型阱的部分的厚度比例为2:3至1:4，这样器件鸟嘴处的电场强度和碰撞电离率明显减弱，因而大幅度提升了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可靠性 横向 绝缘 栅双极型 器件 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种高可靠性的N型横向绝缘栅双极型器件，包括：P型衬底（1），在P型衬底（1）上设有埋氧（2），在埋氧（2）上设有N型阱（3），在N型阱（3）的内部设有N型缓冲阱（4）和P型体区（13），在N型缓冲阱（4）内设有P型阳极区（5），在P型体区（13）中设有N型阴极区（12）和P型体接触区（11），在N型阱（3）的表面设有场氧化层（8）且场氧化层（8）的一端向P型阳极区（5）延伸并止于P型阳极区（5），另一端向P型体区（13）延伸并止于P型体区（13）前端，在P型体区（13）的表面设有多晶硅栅（9）且多晶硅栅（9）延伸至场氧化层（8）的部分上表面，在场氧化层（8）、P型体接触区（11）、N型阴极区（12）、多晶硅栅（9）和P型阳极区（5）的表面设有钝化层（7），在P型阳极区（5）表面连接有第一金属层（6），在P型体接触区（11）和N型阴极区（12）表面连接有第二金属层（10），其特征在于，所述场氧化层（8）嵌入N型阱（3）的深度为氧化层（8）总厚度的60%~80%，使得场氧化层（8）露出N型阱（3）的部分与嵌入N型阱（3）的部分的厚度比例为2:3至1:4。
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