[发明专利]LED倒装芯片无效
| 申请号： | 201310149879.1 | 申请日： | 2013-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN103227261A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 王维昀;周爱新;毛明华;李永德;马涤非;吴煊梁 | 申请（专利权）人： | 东莞市福地电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/20 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 雷利平 |
| 地址： | 523082 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | LED倒装芯片，其P焊接电极和N焊接电极分别覆盖芯片底面的不同区域，有第一N欧姆接触层位于N焊接电极覆盖区域，芯片在N焊接电极和N半导体层之间开有第一沉坑让第一N欧姆接触层与N半导体层触通，有第二N欧姆接触层位于P焊接电极覆盖区域但局部延伸至P焊接电极覆盖区域之外并且与P焊接电极相互绝缘，芯片在P焊接电极和N半导体层之间开有第二沉坑让第二N欧姆接触层与N半导体层触通。第二N欧姆接触层与P焊接电极相互绝缘以避免短路，且局部延伸至P焊接电极覆盖区域之外以供焊接。不仅在N焊接电极覆盖区域分布有N欧姆接触层，而且在P焊接电极覆盖区域也能够分布N欧姆接触层，故在芯片上N欧姆接触层的电流分布均匀。 | ||
| 搜索关键词： | led 倒装 芯片 | ||
【主权项】：
LED倒装芯片，其P焊接电极和N焊接电极分别覆盖芯片底面的不同区域，芯片的P欧姆接触层、P半导体层和有源发光层位于P焊接电极与芯片的N半导体层之间，有第一N欧姆接触层位于N焊接电极覆盖区域，芯片在N焊接电极和N半导体层之间开有第一沉坑让第一N欧姆接触层与N半导体层触通，其特征是，有第二N欧姆接触层位于P焊接电极覆盖区域但局部延伸至P焊接电极覆盖区域之外并且与P焊接电极相互绝缘，芯片在P焊接电极和N半导体层之间开有第二沉坑让第二N欧姆接触层与N半导体层触通。
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