[发明专利]一种露出硅通孔内金属的方法无效
| 申请号： | 201310150053.7 | 申请日： | 2013-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103258790A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 张黎;赖志明;陈栋;陈锦辉 | 申请（专利权）人： | 江阴长电先进封装有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 彭英 |
| 地址： | 214429 江苏省无锡市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种露出硅通孔内金属的方法，属于半导体封装技术领域。包括步骤：提供带有硅通孔（12）结构的硅基体（1），其上方形成半导体工艺层（11）；在所述硅基体（1）下方通过机械打磨的方法将硅基体（1）的厚度减薄；在所述硅基体（1）下方通过刻蚀的方法将硅基体（1）的厚度进一步减薄，至带有钝化层Ⅰ（21）的硅通孔内金属（3）部分裸露；在所述硅基体（1）下表面沉积钝化层Ⅱ（22）；在所述钝化层（22）表面用旋转涂布的方式涂布缓冲层（4）；用表面平坦化工艺将硅通孔内金属（3）露出。本发明无钝化层碎裂的风险、无漏电流、无离子迁移的顾虑等问题，同时工艺更好控制，表面的平整性更好，后续的光刻工艺更容易实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 露出 硅通孔内 金属 方法 | ||
【主权项】：
一种露出硅通孔内金属的方法，包括步骤： 提供带有硅通孔（12）结构的硅基体（1），其上方形成半导体工艺层（11）；在所述硅基体（1）下方通过机械打磨的方法将硅基体（1）的厚度整体减薄；在所述硅基体（1）下方使用刻蚀的方法将硅基体（1）的厚度进一步减薄，使硅通孔（12）内结构部分裸露，所述硅通孔（12）内结构包括沉积于硅通孔（12）内壁的钝化层Ⅰ（21）和硅通孔内金属（3）；在所述硅基体（1）下表面沉积钝化层Ⅱ（22）；在所述钝化层（22）表面用旋转涂布的方式涂布缓冲层（4）；用表面平坦化工艺露出硅通孔内金属（3）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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