[发明专利]一种二维等离子体光子晶体带隙控制方法有效
| 申请号： | 201310150602.0 | 申请日： | 2013-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103235361A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 杨利霞;陈伟;施卫东;许红蕾;郑晶 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;H05H1/24;G02F1/01 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 汪旭东 |
| 地址： | 212013 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二维等离子体光子晶体带隙控制方法，通过建立二维等离子体光子晶体模型，利用模型的反射系数，获取二维等离子体光子晶体带隙大小；利用高斯脉冲函数来表示等离子体频率，通过高斯脉冲函数表达式的变化来调节和控制二维等离子体光子晶体带隙大小。依据本发明技术方案，无需改变模型的分布，通过改变等离子体频率的大小，实现二维等离子体光子晶体带隙控制，简易直接，对模型要求低。本发明适用于高频情况下对等离子体光子晶体带隙的调控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 等离子体 光子 晶体 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种二维等离子体光子晶体带隙控制方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一:建立二维等离子体光子晶体模型，利用模型的反射系数，获取二维等离子体光子晶体带隙大小；步骤二：利用高斯脉冲函数来表示等离子体频率，通过高斯脉冲函数表达式的变化来调节和控制二维等离子体光子晶体带隙大小。
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