[发明专利]高灵敏SiC压力传感器无效
| 申请号： | 201310152489.X | 申请日： | 2013-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN103234670A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 杨为佑;毕精会;尉国栋;王霖;高凤梅;郑金桔 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01L9/08;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种高灵敏SiC压力传感器的制备方法，其包括以下具体步骤：(1)将C纸浸泡在Co(NO3)2乙醇溶液中，引入催化剂，自然晾干备用；(2)将聚硅氮烷液态有机前驱体置于石墨坩埚中，引入催化剂后的C纸置于石墨坩埚顶部，一起置于气氛烧结炉中于1350～1450℃进行高温热解，在5％N2和95％Ar(体积比)的混合保护气氛下热解1～3小时，实现N原子掺杂的n型SiC纳米线的制备。(3)将n型SiC纳米线超声分散后滴洒在石墨片上，在原子力显微镜导电模式下构建SiC纳米线压力传感器，通过探针施加不同压力，实现不同压力下的电信号检测。与已有报道的工作相比，本发明所制备的SiC压力传感器不仅能够实现nN量级力的检测，而且能够实现pA量级电信号的反馈，具有更高的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 灵敏 sic 压力传感器 | ||
【主权项】：
一种高灵敏SiC压力传感器的制备方法，其包括以下具体步骤：1)材料制备：将C纸浸泡在Co(NO3)2乙醇溶液中，自然晾干后引入催化剂。将聚硅氮烷液态有机前驱体置于石墨坩埚中，引入催化剂后的C纸置于石墨坩埚顶部，一起置于气氛烧结炉中于1350～1450℃进行高温热解，在5％N2和95％Ar(体积比)的混合保护气氛下热解1～3小时，实现N原子掺杂的n型SiC纳米线的制备。2)压力传感器构建：将n型SiC纳米线超声分散在乙醇中，然后滴洒在石墨片上。在原子力显微镜导电模式下构建SiC纳米线压力传感器，通过探针施加不同压力，实现不同压力下的电信号检测。
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