[发明专利]红外探测器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201310152953.5 申请日: 2013-04-27
公开(公告)号: CN103247637A 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: 任昕;杨晓杰;边历峰;任雪勇 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01L27/144 分类号: H01L27/144;H01L31/101;H01L31/0352;H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215123 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种抗辐射和抗光盲双色量子点红外探测器,包括衬底、第一量子点探测结构、第二量子点探测结构,其特征在于:所述第一量子点探测结构主要由N+下接触层、第一量子点有源区、第一N+中间接触层构成,所述第二量子点探测器结构主要由第二N+中间接触层、第二量子点有源区、N+上接触层结构,各接触层上设有对应的引出电极,其特征在于在所述第一量子点探测器结构和第二量子点探测器结构之间,设置有P+公共接触层,所述P+公共接触层设有公共电极,所述各层依次叠合连接构成一体结构。该探测器的五个电极和差分放大电路互连,分别测量两个量子点红外探测器产生的电子电流和空穴电流,具有双色探测、抗光盲和抗辐照功能。
搜索关键词: 红外探测器 及其 制作方法
【主权项】:
一种红外探测器,其特征在于:包括半绝缘砷化镓单晶衬底以及依次形成于所述半绝缘砷化镓单晶衬底上的n+下接触层、第一量子点有源区、第一n+中间接触层、p+公共接触层、第二n+中间接触层、第二量子点有源区和n+上接触层,所述的n+下接触层、第一n+中间接触层、p+公共接触层、第二n+中间接触层和n+上接触层上分别形成有下电极、第一中间电极、公共电极、第二中间电极以及上电极。
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