[发明专利]红外探测器及其制作方法有效
申请号: | 201310152953.5 | 申请日: | 2013-04-27 |
公开(公告)号: | CN103247637A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 任昕;杨晓杰;边历峰;任雪勇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L31/101;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种抗辐射和抗光盲双色量子点红外探测器,包括衬底、第一量子点探测结构、第二量子点探测结构,其特征在于:所述第一量子点探测结构主要由N+下接触层、第一量子点有源区、第一N+中间接触层构成,所述第二量子点探测器结构主要由第二N+中间接触层、第二量子点有源区、N+上接触层结构,各接触层上设有对应的引出电极,其特征在于在所述第一量子点探测器结构和第二量子点探测器结构之间,设置有P+公共接触层,所述P+公共接触层设有公共电极,所述各层依次叠合连接构成一体结构。该探测器的五个电极和差分放大电路互连,分别测量两个量子点红外探测器产生的电子电流和空穴电流,具有双色探测、抗光盲和抗辐照功能。 | ||
搜索关键词: | 红外探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种红外探测器,其特征在于:包括半绝缘砷化镓单晶衬底以及依次形成于所述半绝缘砷化镓单晶衬底上的n+下接触层、第一量子点有源区、第一n+中间接触层、p+公共接触层、第二n+中间接触层、第二量子点有源区和n+上接触层,所述的n+下接触层、第一n+中间接触层、p+公共接触层、第二n+中间接触层和n+上接触层上分别形成有下电极、第一中间电极、公共电极、第二中间电极以及上电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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