[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201310153027.X | 申请日： | 2013-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN104124227A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 黄昭元;何岳风;杨名声;陈辉煌 | 申请（专利权）人： | 艾芬维顾问股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，包含：衬底；硅穿孔(TSV)，贯穿该衬底；复数个第一内联机结构，位于该硅穿孔的正上方并用于将该硅穿孔电耦合至更高层次的内联机；第二内联机结构，从该硅穿孔的上方横跨该硅穿孔并用来作为一主动装置的内联机绕线；及复数冗余金属图案，位于该硅穿孔正上方而与该硅穿孔、该第一内联机结构及该第二内联机结构电绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包含：衬底；硅穿孔(TSV)，贯穿该衬底；复数个第一内联机结构，位于该硅穿孔的正上方并用于将该硅穿孔电耦合至更高层次的内联机；第二内联机结构，从该硅穿孔的上方横跨该硅穿孔并用于作为一主动装置的内联机绕线；及复数冗余金属图案，位于该硅穿孔正上方而与该硅穿孔、该第一内联机结构及该第二内联机结构电绝缘。
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