[发明专利]聚吡咯/石墨烯修饰的双模神经微电极阵列芯片及制备方法无效
申请号: | 201310153416.2 | 申请日: | 2013-04-27 |
公开(公告)号: | CN103627631A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 王力;蔡新霞;刘春秀;蒋庭君;宋轶琳;石文韬;蔚文婧 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电子学研究所 |
主分类号: | C12M1/34 | 分类号: | C12M1/34 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 发明公开了一种聚吡咯/石墨烯复合材料修饰的双模神经检测微电极阵列芯片及其制备方法,所述芯片包括:绝缘基底、多个焊盘、多条引线、四组微电极阵列,多个焊盘等间距分布在绝缘基底周边;绝缘基底表面中心位置处对称分布有四组微电极阵列,微电极阵列中的电极分别通过末端与焊盘连接的引线延伸至绝缘基底的四周边缘;微电极阵列的工作电极表面修饰有复合敏感膜材料。本发明还提出一种制备所述芯片的方法。本发明芯片克服了以往神经微电极阻抗大,离体生物组织与电极不易接触的缺点,具有阻抗低,生物相容性好的优点,以及石墨烯的存在增加了电极表面的粗糙度和不均匀性。本发明芯片功能集成化有利于离体脑片细胞和培养的神经细胞的发放检测。 | ||
搜索关键词: | 吡咯 石墨 修饰 双模 神经 微电极 阵列 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种聚吡咯/石墨烯复合材料修饰的双模神经检测微电极阵列芯片,其特征在于,该芯片包括:绝缘基底(1)、多个焊盘(2)、多条引线(3)、四组微电极阵列(4),其中:所述绝缘基底(1)为整个芯片的载体;所述多个焊盘(2)等间距地分布在所述绝缘基底(1)的周边;所述绝缘基底(1)表面的中心位置处对称地分布有四组微电极阵列(4),每组微电极阵列中均分布有四个对称矩阵式分布的、由导电薄膜材料制成的圆形微电极;四组微电极阵列(4)中包括一个参比电极(5),其余的为工作电极,所述工作电极中的任意一个为对电极;所述参比电极(5)位于整个绝缘基底(1)的中心,其面积比其他工作电极至少大一个数量级;微电极阵列(4)中的所有电极均分别通过引线(3)延伸至所述绝缘基底(1)的四周边缘,且所述引线(3)的末端与相应的焊盘(2)连接,所述引线(3)的数量、所有电极的数量以及所述焊盘(2)的数量均相同;所述引线(3)的表面覆盖有绝缘层;所述微电极阵列(4)的工作电极的表面修饰有复合敏感膜材料(7)。
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