[发明专利]半导体芯片的版图图层设计方法及其掩膜板有效
| 申请号： | 201310153678.9 | 申请日： | 2013-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103311103A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 张亮;毛智彪;曹永峰;俞柳江;于世瑞 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体芯片的版图图层设计方法，包括：根据光刻工艺能力制定出OPC校正规则；根据OPC分类标准和所述OPC校正规则将原始完整版图中需要做光学临近修正的图形置于第一子图层，将不需要进行光学临近修正的图形置于第二子图层；对第一子图层进行OPC运算，形成运算后的第一子图层；将运算后的第一子图层和第二子图层整合形成所需版图的光掩膜数据。本发明还提供一种利用半导体芯片版图图层设计方法的掩膜板。本发明提供的半导体芯片的版图图层设计方法，只需要对第一子图层进行光学临近修正，而对第二子图层不做任何处理，实际的计算量、计算的图形面积大大减少，计算效率大大提高，提高了运算服务器的工作效率和缩短产品的出版周期。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 版图 设计 方法 及其 掩膜板 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片的版图图层设计方法，其特征在于，包括：根据光刻工艺能力制定出OPC校正规则；根据OPC分类标准和所述OPC校正规则将原始完整版图中需要做光学临近修正的图形置于第一子图层，将不需要进行光学临近修正的图形置于第二子图层；对所述第一子图层进行OPC运算，形成运算后的第一子图层；将所述运算后的第一子图层和所述第二子图层整合形成所需版图的光掩膜数据。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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