[发明专利]盖帽层粗化光电器件的制备方法无效
| 申请号： | 201310153922.1 | 申请日： | 2013-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103219445A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 王玮;蔡勇;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种盖帽层粗化光电器件的制备方法，包括：提供具有粗化结构的模板，并将所述模板与用以形成光电器件盖帽层的有机涂覆层结合，使模板上的粗化结构转移至有机涂覆层，而后对有机涂覆层进行固化处理，并将模板与有机涂覆层分离，获得具有粗化结构的盖帽层。其中，所述有机涂覆层覆设于光电器件表面。所述粗化结构包括凹陷和/或凸起的规则或不规则图形结构。本发明提供的盖帽层粗化光电器件的制备工艺简单可控，适用于工业生产，且所获粗化结构可调，能有效提升光电器件芯片的正面出光率，增加光电器件芯片整体的取光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 盖帽 层粗化 光电 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种盖帽层粗化光电器件的制备方法，其特征在于，包括：提供具有粗化结构的模板，并将所述模板与用以形成光电器件盖帽层的有机涂覆层结合，使模板上的粗化结构转移至有机涂覆层，而后对有机涂覆层进行固化处理，并将模板与有机涂覆层分离，获得具有粗化结构的盖帽层。
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