[发明专利]实现半导体量子阱结构带隙蓝移的方法无效
| 申请号： | 201310154324.6 | 申请日： | 2013-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103236648A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 黄永光;朱洪亮;崔晓 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种实现半导体量子阱结构带隙蓝移的方法。该方法包括：在量子阱结构上沉积表面牺牲层；通过超短脉冲激光辐照或者扫描选定区域的表面牺牲层，以在该区域的表面牺牲层实现化学变性或者引入结构缺陷，形成激光改性区；对包括量子阱结构和表面牺牲层的元件进行快速热退火，通过热诱导作用将激光改性区的化学变性或引入的结构缺陷传递到量子阱结构内，使量子阱结构的阱/垒成分互混，实现量子阱结构的带隙波长蓝移。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 半导体 量子 结构 带隙蓝移 方法 | ||
【主权项】：
一种实现半导体量子阱结构带隙蓝移的方法，其特征在于，包括：步骤A，在量子阱结构上沉积表面牺牲层；步骤B，通过超短脉冲激光辐照或者扫描选定区域的表面牺牲层，以在该区域的表面牺牲层实现化学变性或者引入结构缺陷，形成激光改性区；步骤D，对包括量子阱结构和表面牺牲层的元件进行快速热退火，通过热诱导作用将激光改性区的化学变性或引入的结构缺陷传递到量子阱结构内，使量子阱结构的阱/垒成分互混，实现量子阱结构的带隙波长蓝移。
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