[发明专利]单晶硅状态检测装置无效
申请号: | 201310154778.3 | 申请日: | 2013-04-28 |
公开(公告)号: | CN103276452A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 李佳 | 申请(专利权)人: | 苏州工业园区高登威科技有限公司 |
主分类号: | C30B33/06 | 分类号: | C30B33/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215121 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明揭示了一种单晶硅状态检测装置,包括用来检测单晶硅表面是否具有缝隙的第一检测器以及用来检测单晶硅缝隙位置的第二检测器。与现有技术相比,本发明所述单晶硅状态检测装置能够识别出单晶硅是否为拼接单晶硅,并反馈出用来拼接的单晶硅数量以及相应单晶硅的长度。 | ||
搜索关键词: | 单晶硅 状态 检测 装置 | ||
【主权项】:
一种单晶硅状态检测装置,其特征在于:所述单晶硅状态检测装置包括用来检测单晶硅表面是否具有缝隙的第一检测器以及用来检测单晶硅缝隙位置的第二检测器。
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