[发明专利]半导体存储器器件和控制器无效
| 申请号： | 201310155754.X | 申请日： | 2013-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103680618A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 岩井斋;藤田志郎;助川博;藤泽俊雄;原德正 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体存储器器件和控制器。根据一个实施例，一种半导体存储器器件包括多个块。所述块包括第一选择晶体管、第二选择晶体管、多个存储器基元晶体管、第一选择栅极线和第二选择栅极线以及字线。所述块中的一个保持关于包括短路缺陷的字线、第一选择栅极线和/或第二选择栅极线的信息。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 器件 控制器 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器器件，包括：存储器基元阵列，其以非易失性方式存储数据；以及控制器，其控制对所述存储器基元阵列的存取，其中所述存储器基元阵列包括多个块，且所述块中的每个包括：第一选择晶体管和第二选择晶体管；多个存储器基元晶体管，其每个包括电荷积累层和控制栅极并层叠在半导体衬底之上，所述存储器基元晶体管在所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管之间被串联连接，第一选择栅极线和第二选择栅极线，分别连接到所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管的栅极；以及字线，连接到各个存储器基元晶体管的栅极，以及所述块中的一个块保持关于包括短路缺陷的字线、第一选择栅极线和/或第二选择栅极线的信息。
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