[发明专利]薄膜电池的制作方法以及薄膜电池有效

专利信息
申请号: 201310156172.3 申请日: 2013-04-28
公开(公告)号: CN103258909A 公开(公告)日: 2013-08-21
发明(设计)人: 张瑞英 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/20;H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/068
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人: 孙佳胤;翟羽
地址: 215125 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种薄膜电池的制作方法以及薄膜电池。所述方法包括如下步骤:在导电衬底上沉积电池层;在电池层上形成纳米光栅制备需要的纳米图案;在上述纳米图案做为掩模的保护下,在电池层的表面形成纳米光栅;在电池层的纳米光栅表面形成PN结;在PN结表面制备顶电极;在电池层的窗口区沉积介质膜,以钝化纳米光栅,形成完整的叠层纳米光栅结构;在导电衬底未沉积电池层的一侧制备背面电极。本发明的优点在于,在纳米级织构化电池表面沉积介质膜,以有效钝化其表面非辐射复合中心,且不破坏其高效陷光效应,从而使得纳米结构真正应用于太阳电池,提高电池效率,实现电池高性价比。
搜索关键词: 薄膜 电池 制作方法 以及
【主权项】:
一种薄膜电池的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:在导电衬底上沉积电池层;在电池层上形成纳米光栅制备需要的纳米图案;在上述纳米图案做为掩模的保护下,在电池层的表面形成纳米光栅;在电池层的纳米光栅表面形成PN结;在PN结表面制备顶电极;在电池层的窗口区沉积介质膜,以钝化纳米光栅,形成完整的叠层纳米光栅结构;在导电衬底未沉积电池层的一侧制备背面电极。
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