[发明专利]薄膜电池的制作方法以及薄膜电池有效
申请号: | 201310156172.3 | 申请日: | 2013-04-28 |
公开(公告)号: | CN103258909A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 张瑞英 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/20;H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/068 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 孙佳胤;翟羽 |
地址: | 215125 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种薄膜电池的制作方法以及薄膜电池。所述方法包括如下步骤:在导电衬底上沉积电池层;在电池层上形成纳米光栅制备需要的纳米图案;在上述纳米图案做为掩模的保护下,在电池层的表面形成纳米光栅;在电池层的纳米光栅表面形成PN结;在PN结表面制备顶电极;在电池层的窗口区沉积介质膜,以钝化纳米光栅,形成完整的叠层纳米光栅结构;在导电衬底未沉积电池层的一侧制备背面电极。本发明的优点在于,在纳米级织构化电池表面沉积介质膜,以有效钝化其表面非辐射复合中心,且不破坏其高效陷光效应,从而使得纳米结构真正应用于太阳电池,提高电池效率,实现电池高性价比。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 电池 制作方法 以及 | ||
【主权项】:
一种薄膜电池的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:在导电衬底上沉积电池层;在电池层上形成纳米光栅制备需要的纳米图案;在上述纳米图案做为掩模的保护下,在电池层的表面形成纳米光栅;在电池层的纳米光栅表面形成PN结;在PN结表面制备顶电极;在电池层的窗口区沉积介质膜,以钝化纳米光栅,形成完整的叠层纳米光栅结构;在导电衬底未沉积电池层的一侧制备背面电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的