[发明专利]双极型晶体管模型及相应的参数提取方法有效
| 申请号： | 201310156240.6 | 申请日： | 2013-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103226639B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 范象泉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双极型晶体管模型及相应的参数提取方法，双极型晶体管模型包括集电极、基极、发射极、内集电极、内基极和内发射极，集电极和内集电极位于集电区，基极和内基极位于基区，发射极和内发射极位于发射区，集电极、基极、发射极、内集电极、内基极和内发射极上均设有金属孔，集电极和内集电极、基极和内基极、发射极和内发射极分别由其上设有的金属孔经金属线连出，各金属线分别连接至一探针垫，探针垫用于接触探针。本发明通过探针接触各探针垫获得模型寄生参数；通过模型寄生参数修正双极型晶体管SPICE模型参数；通过参数被修正后的双极型晶体管SPICE模型进行计算机模拟，克服了传统的双极型晶体管SPICE模型存在的模型参数提取不精确的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 双极型 晶体管 模型 相应 参数 提取 方法 | ||
【主权项】：
一种双极型晶体管模型，用以提取模型寄生参数，其特征在于，包括：集电极、基极和发射极以及内集电极、内基极和内发射极，所述集电极和内集电极位于集电区，所述基极和内基极位于基区，所述发射极和内发射极位于发射区，所述集电极、基极和发射极以及内集电极、内基极和内发射极上均设有金属孔，所述集电极和内集电极、所述基极和内基极、以及所述发射极和内发射极分别由其上设有的金属孔经金属线连出，各所述金属线分别连接至一探针垫，所述探针垫用于接触探针。
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