[发明专利]NMOS晶体管及其形成方法、CMOS晶体管及其形成方法

摘要

一种NMOS晶体管及其形成方法、CMOS晶体管及其形成方法。所述NMOS晶体管的形成方法包括：提供衬底，所述衬底上设置有伪栅结构；在所述衬底上形成层间介质层，所述层间介质层的上表面与所述伪栅结构的上表面齐平；去除所述伪栅结构以在所述层间介质层中形成沟槽；在所述沟槽的底部和侧壁依次形成高k介质层、扩散阻挡层、N型功函数金属层和栅金属层。本发明所提供的NMOS晶体管的形成方法中，形成了扩散阻挡层，该扩散阻挡层可以防止N型功函数金属层中的铝发生扩散，因而能够防止高k介质层被金属损害，防止发生时变击穿效应，使形成的NMOS晶体管更加稳定耐用。

主权项

1.一种CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包含第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域上分别设置有伪栅结构；在所述衬底上形成层间介质层；去除所述伪栅结构，在所述层间介质层中形成沟槽；同时在所述第一区域和第二区域的所述沟槽中依次形成高k介质层、P型功函数金属层和第一金属层；去除所述第二区域上的所述第一金属层和P型功函数金属层，以在所述层间介质层中形成凹槽；在所述凹槽中依次形成扩散阻挡层、N型功函数金属层和第二金属层。