[发明专利]一种用于电子倍增电荷耦合器件驱动的单片式集成方法有效

专利信息
申请号: 201310157205.6 申请日: 2013-05-02
公开(公告)号: CN103269417A 公开(公告)日: 2013-08-28
发明(设计)人: 刘庆飞;刘小淮;吕江平;李秋利;梁宛玉 申请(专利权)人: 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
主分类号: H04N5/372 分类号: H04N5/372
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 215163 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种用于电子倍增电荷耦合器件驱动的单片式集成方法,对驱动EMCCD芯片的时序信号进行串行数据编码后再经过第一次解码识别电路进行二进制码转换,并输出二进制编码到指令控制和执行电路编译出具体指令输出到存储器,存储器根据指令输出低压时序逻辑信号,低压时序逻辑信号再经过电平转换输出驱动EMCCD芯片的高压驱动信号。本发明可以提高EMCCD器件灵敏度和读出速度,简化EMCCD驱动时序的复杂程度,减少EMCCD器件驱动过程中由于寄生效应造成的串扰,避免EMCCD器件驱动时的误操作,提高EMCCD器件的可靠性,降低了功耗,有利于EMCCD器件的系统集成和成像应用。
搜索关键词: 一种 用于 电子 倍增 电荷耦合器件 驱动 单片 集成 方法
【主权项】:
一种用于电子倍增电荷耦合器件驱动的单片式集成方法,其特征是,首先对驱动EMCCD芯片的时序信号进行串行数据编码,编码后的串行数据经过第一次解码识别电路进行二进制码转换,并输出转换后的二进制编码到指令控制和执行电路,由指令控制和执行电路编译出具体指令输出到存储器,存储器根据指令输出低压时序逻辑信号,低压时序逻辑信号再经过电平转换输出驱动EMCCD芯片的高压驱动信号。
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