[发明专利]一种双层浅沟槽隔离结构、制备方法及横向扩散MOS管

摘要

本发明提供一种双层浅沟槽隔离结构、制备方法及横向扩散MOS管。双层浅沟槽隔离结构包括：在半导体衬底的漂移区内设有双层浅沟槽隔离结构，双层浅沟槽隔离结构分上下两层，上层浅沟槽隔离结构具有两倾斜侧壁，上层浅沟槽隔离结构的两侧壁顶端与漂移区表面所形成的角为钝角，且上层浅沟槽隔离结构的底部完全是下层浅沟槽隔离结构的顶部，浅沟槽隔离结构内填充有绝缘介质。本发明利用具有倾斜侧壁的上层浅沟槽隔离结构，并对双层浅沟槽隔离结构内的尖角进行圆化或钝化处理，避免了鸟嘴效应的产生；上层浅沟槽隔离结构的存在可以扩宽下层浅沟槽隔离结构的底部拐角处的耗尽区域，避免产生新的密集电场，使电场分布趋于平坦，从而提高击穿电压。

主权项

一种双层浅沟槽隔离结构，包括带有外延层的半导体衬底，所述半导体衬底包括在所述外延层上设有漂移区，在所述外延层上且在所述漂移区的相邻两端分别有源区和漏区，其特征在于：在所述漂移区内设有双层浅沟槽隔离结构，所述双层浅沟槽隔离结构分上下两层，所述上层浅沟槽隔离结构具有两倾斜侧壁，所述上层浅沟槽隔离结构的两侧壁顶端与所述漂移区表面所形成的角为钝角，且所述上层浅沟槽隔离结构的底部完全是所述下层浅沟槽隔离结构的顶部，所述双层浅沟槽隔离结构内填充有绝缘介质。