[发明专利]低发散角单纵模边发射光子晶体激光器有效
| 申请号： | 201310157583.4 | 申请日： | 2013-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN103259188A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 渠红伟;张冶金;张建心;刘磊;马绍栋;石岩;郑婉华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/065 | 分类号： | H01S5/065;H01S5/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种低发散角单纵模光子晶体边发射激光器，包括：在衬底上依次生长的N型光子晶体波导、N型下波导层、有源区、P型上波导层、P型上限制层，该P型上限制层的纵向剖面为一脊型结构，其上部的一侧为整体结构，另一侧为人工微结构，该人工微结构中包括多个狭槽，一P型欧姆接触层制作在P型上限制层脊型结构上部的上面，一绝缘层制作在P型上限制层脊型结构下部的上面和脊形结构上部的侧面，一P型电极制作在P型上限制层脊形结构的一侧、绝缘层的上面，该P型电极同时还制作在P型欧姆接触层的上面，一N型电极制作在衬底的背面。本发明可以降低制作成本；可以对激光器光场进行调控，降低了垂直发散角，改善了单纵模激光器光束质量，降低整形难度，提高光纤耦合的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发散 角单纵模边 发射 光子 晶体 激光器 | ||
【主权项】：
一种低发散角单纵模光子晶体边发射激光器，包括： 一衬底； 一N型电极，其制作在衬底的背面； 一N型光子晶体波导，其制作在衬底的上面，用于形成电流注入通道和纵向光场扩展； 一N型下波导层，其制作在N型光子晶体波导的上面； 一有源区，其制作在N型下波导层的上面，提供光增益； 一P型上波导层，其制作在有源区的上面，用于形成电流注入通道和纵向光场限制； 一P型上限制层，其制作在P型上波导的上面，该P型上限制层的纵向剖面为一脊型结构，脊形结构上部的一侧为整体结构，另一侧为人工微结构，该人工微结构中包括多个狭槽，用于形成电流注入通道和纵向侧向光场限制； 一P型欧姆接触层，其制作在P型上限制层脊型结构上部的上面，用于形成欧姆接触； 一绝缘层，其制作在P型上限制层脊型结构下部的上面和脊形结构上部的侧面； 一P型电极，制作在P型上限制层脊形结构的一侧、绝缘层的上面，该P型电极同时还制作在P型欧姆接触层的上面； 其中该脊型结构的整体结构部分为脊型波导增益区，另一侧的人工微结构部分为光子晶体选模区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310157583.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
