[发明专利]半导体器件以及在该半导体器件中使用的超晶格层无效
| 申请号： | 201310157632.4 | 申请日： | 2013-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN103489898A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 金在均;金峻渊;卓泳助 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件以及在该半导体器件中使用的超晶格层。该半导体器件包括：硅衬底；氮化物成核层，设置在硅衬底上；至少一个超晶格层，设置在氮化物成核层上；以及至少一个镓氮化物基半导体层，设置在超晶格层上，其中至少一个超晶格层通过重复地堆叠复合层而形成，每个复合层包括具有不同组分的多个氮化物半导体层，其中多个氮化物半导体层的至少之一根据堆叠位置而具有不同的厚度，至少一个应力控制层设置在多个氮化物半导体层之间或者设置在重复地堆叠的复合层之间，至少一个应力控制层具有超过假晶生长的临界厚度的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 使用 晶格 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：硅衬底；氮化物成核层，设置在所述硅衬底上；至少一个超晶格层，设置在所述氮化物成核层上；以及至少一个镓氮化物基半导体层，设置在所述超晶格层上，其中所述至少一个超晶格层通过重复地堆叠复合层而形成，每个所述复合层包括具有不同组分的多个氮化物半导体层，其中所述多个氮化物半导体层的至少之一根据堆叠位置而具有不同的厚度，至少一个应力控制层设置在所述多个氮化物半导体层之间或者设置在重复地堆叠的所述复合层之间，所述至少一个应力控制层具有超过假晶生长的临界厚度的厚度。
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