[发明专利]一种制备基于量子点的空穴型存储器的方法

摘要

本发明公开了一种制备基于量子点的空穴型存储器的方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层和第一p掺杂层；在第一p掺杂层上生长p+掺杂势垒层和非掺杂势垒层，形成二维空穴气；在二维空穴气上依次生长第一非掺杂空间层、具有II类异质结构的量子点层和第二非掺杂空间层；在第二非掺杂空间层上生长第二p掺杂层；在第二p掺杂层上生长n+掺杂层；通过工艺技术制造数据擦写端口和数据读取端口，形成空穴型量子点存储器。利用本发明，实现的存储器作为一种新型的存储器概念，具有寿命长、读写速度快、存储时间长等优势，在下一代非挥发高性能存储器的研制中具有很大潜力，有望取代目前广泛使用的动态随机存储器(DRAM)和FLASH存储器。

主权项

一种制备基于量子点的空穴型存储器的方法，其特征在于，包括：步骤1：在衬底(1)上依次生长缓冲层(2)和第一p掺杂层(3)；步骤2：在第一p掺杂层(3)上生长p+掺杂势垒层(4)和非掺杂势垒层(5)，形成二维空穴气(6)；步骤3：在二维空穴气(6)上依次生长第一非掺杂空间层(7)、具有二类异质结构的量子点层(8)和第二非掺杂空间层(9)；步骤4：在第二非掺杂空间层(9)上生长第二p掺杂层(10)；步骤5：在第二p掺杂层(10)上生长n+掺杂层(11)；步骤6：通过工艺技术制造数据擦写端口和数据读取端口，形成空穴型量子点存储器。