[发明专利]类金刚石-碳化硅复合薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201310158139.4 | 申请日： | 2013-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN104131264A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 许嘉麟 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/22 | 分类号： | C23C16/22;C23C16/50 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种类金刚石-碳化硅复合薄膜的制备方法，包括如下步骤：对等离子反应器抽真空；向所述等离子反应器中通入含碳气体、含硅气体和工作气体；开启所述等离子反应器使所述工作气体形成等离子以撞击所述含碳气体和含硅气体，所述含碳气体和含硅气体在所述等离子的撞击下裂解产生的碳和硅反应生成碳化硅沉积形成类金刚石-碳化硅复合薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 碳化硅 复合 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种类金刚石‑碳化硅复合薄膜的制备方法，包括如下步骤：对等离子反应器抽真空；向所述等离子反应器中通入含碳气体、含硅气体和工作气体；开启所述等离子反应器使所述工作气体形成等离子以撞击所述含碳气体和含硅气体，所述含碳气体和含硅气体在所述等离子的撞击下裂解产生的碳和硅反应生成碳化硅沉积形成类金刚石‑碳化硅复合薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
