[发明专利]被加工物的分割方法在审
申请号: | 201310158450.9 | 申请日: | 2013-05-02 |
公开(公告)号: | CN103390550A | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 熊泽哲 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302;B23K26/38 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 党晓林;王小东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种被加工物的分割方法,能够减小被加工物的分割所需要的加工宽度。其为将板状的被加工物(1)分割成一个个芯片的分割方法,包括:准备至少单面形成为梨皮面(11)的板状的被加工物的被加工物准备步骤;以使被加工物的梨皮面露出的方式利用卡盘工作台的保持面保持的保持步骤;利用切削刀具从由卡盘工作台保持的被加工物的梨皮面侧进行切削,以留下残存部(15)的方式形成切削槽(12)的切削槽形成步骤;以及沿着切削槽向被加工物照射激光光线(7),切断残存部的激光切断步骤,利用梨皮面抑制了切削刀具切削产生的被加工物表面的缺陷,并将在激光切断步骤中产生的碎片(8)收纳在切削槽内,抑制了碎片显露在被加工物的表面的情况。 | ||
搜索关键词: | 加工 分割 方法 | ||
【主权项】:
一种被加工物的分割方法,所述被加工物的分割方法是将板状的被加工物分割成一个个芯片的分割方法,其特征在于,所述被加工物的分割方法包括:被加工物准备步骤,在所述被加工物准备步骤中,准备至少单面形成为梨皮面的板状的被加工物;保持步骤,在所述保持步骤中,以使所述被加工物的所述梨皮面露出的方式利用卡盘工作台的保持面保持所述被加工物;切削槽形成步骤,在所述切削槽形成步骤中,利用切削刀具从由所述卡盘工作台保持的所述被加工物的所述梨皮面侧切削所述被加工物,以留下自背面起预定厚度的残存部的方式形成切削槽;以及激光切断步骤,在所述激光切断步骤中,沿着通过所述切削槽形成步骤形成的所述切削槽照射波长相对于所述被加工物具有吸收性的激光光线,切断所述残存部,利用所述梨皮面,抑制了通过所述切削刀具的切削而产生的所述被加工物的表面的缺陷,在所述激光切断步骤中产生的碎片收纳于所述切削槽内,抑制了碎片显露在所述被加工物的表面的情况。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310158450.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种山环素的制备方法
- 下一篇:一种基于积分迭代算法的航空重力向下延拓方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造