[发明专利]太阳能电池及其模块无效

专利信息
申请号: 201310158477.8 申请日: 2013-05-02
公开(公告)号: CN103426964A 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: 庄尚余;罗佩婷;戴煜暐;陈伟铭 申请(专利权)人: 新日光能源科技股份有限公司
主分类号: H01L31/068 分类号: H01L31/068;H01L31/0352;H01L31/042
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 王玉双;祁建国
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种太阳能电池,包含:硅半导体基板、复合多功能保护膜、多个正面电极与多个背面电极。其中,硅半导体基板具有粗糙化的一第一表面,第一表面下配置一掺杂层,掺杂层的深度介于200纳米(nm)至1000纳米(nm)之间,掺杂层的表面掺杂浓度介于1×1019至5×1020原子/公分3之间。复合多功能保护膜,设置于掺杂层之上,复合多功能保护膜具有多膜层,以减少一入射光的反射率,这些膜层最接近掺杂层的一层,其膜层厚度小于40纳米(nm)。多个正面电极,穿透复合多功能保护膜而设置于掺杂层上。多个背面电极,设置于硅半导体基板一第二表面。
搜索关键词: 太阳能电池 及其 模块
【主权项】:
一种太阳能电池,其特征在于,包含:硅半导体基板,具有粗糙化的第一表面,所述第一表面下配置掺杂层,其中所述掺杂层具有与所述硅半导体基板相反极性的掺杂,且所述掺杂层的深度介于200纳米至1000纳米之间,所述掺杂层的表面掺杂浓度介于1×1019至5×1020原子/公分3之间;复合多功能保护膜,设置于所述掺杂层之上,所述复合多功能保护膜具有多膜层,以减少入射光的反射率,所述膜层最接近所述掺杂层的一层,其膜层厚度小于40纳米;多个正面电极,穿透所述复合多功能保护膜而设置于所述掺杂层上;及多个背面电极,设置于所述硅半导体基板第二表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新日光能源科技股份有限公司,未经新日光能源科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310158477.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top