[发明专利]一种堆栈芯片系统无效
| 申请号： | 201310158714.0 | 申请日： | 2013-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN104134650A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 黄昭元;何岳风;杨名声;陈辉煌 | 申请（专利权）人： | 艾芬维顾问股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种堆栈芯片系统，包含：第一芯片；第二芯片；第一组硅穿孔(TSV)，连接该第一芯片与该第二芯片且包含至少一第一VSS硅穿孔、至少一第一VDD硅穿孔、复数第一讯号硅穿孔与至少一第一冗余硅穿孔；及第二组硅穿孔(TSV)，连接该第一芯片与该第二芯片且包含至少一第二VSS硅穿孔、至少一第二VDD硅穿孔、复数第二讯号硅穿孔与至少一第二冗余硅穿孔，其中该第一组硅穿孔的所有硅穿孔皆由用以选择该至少一第一冗余硅穿孔并绕道该第一组硅穿孔之剩余硅穿孔中的至少一硅穿孔的第一选择电路所耦合，且其中该至少一第一冗余硅穿孔与该至少一第二冗余硅穿孔系由用以允许此两硅穿孔互相替换的第二选择电路所耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 堆栈 芯片 系统 | ||
【主权项】：
一种堆栈芯片系统，包含:第一芯片;第二芯片;第一组硅穿孔(TSV)，连接该第一芯片与该第二芯片且包含至少一第一VSS硅穿孔、至少一第一VDD硅穿孔、复数第一讯号硅穿孔与至少一第一冗余硅穿孔;及第二组硅穿孔(TSV)，连接该第一芯片与该第二芯片且包含至少一第二VSS硅穿孔、至少一第二VDD硅穿孔、复数第二讯号硅穿孔与至少一第二冗余硅穿孔，其中该第一组硅穿孔的所有硅穿孔皆由用以选择该至少一第一冗余硅穿孔并绕道该第一组硅穿孔之剩余硅穿孔中的至少一硅穿孔的第一选择电路所耦合，且其中该至少一第一冗余硅穿孔与该至少一第二冗余硅穿孔系由用以允许此两硅穿孔互相替换的第二选择电路所耦合。
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