[发明专利]沟槽隔离结构的形成方法有效
| 申请号： | 201310158820.9 | 申请日： | 2013-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN104124195A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有开口；在所述开口的侧壁表面形成第一绝缘衬垫层；在所述开口的底部表面形成第二绝缘衬垫层；在形成第一绝缘衬垫层和第二绝缘衬垫层之后，进行表面处理工艺，使所述开口内的第一绝缘衬垫层和第二绝缘衬垫层表面具有氢氧键，且所述第二绝缘衬垫层表面的氢氧键密度大于第一绝缘衬垫层表面的氢氧键密度；在表面处理工艺之后，在所述开口内的第一绝缘衬垫层和第二绝缘衬垫层表面形成填充满所述开口的绝缘层。所形成的浅沟槽隔离结构内无空隙、质量好。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有开口；在所述开口的侧壁表面形成第一绝缘衬垫层；在所述开口的底部表面形成第二绝缘衬垫层；在形成第一绝缘衬垫层和第二绝缘衬垫层之后，进行表面处理工艺，使所述开口内的第一绝缘衬垫层和第二绝缘衬垫层表面具有氢氧键，且所述第二绝缘衬垫层表面的氢氧键密度大于第一绝缘衬垫层表面的氢氧键密度；在表面处理工艺之后，在所述开口内的第一绝缘衬垫层和第二绝缘衬垫层表面形成填充满所述开口的绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
