[发明专利]包括带电结构的半导体器件及用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310159279.3 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN103337518A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | F·希尔勒;M·聪德尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;卢江 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及包括带电结构的半导体器件及用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件，包括从表面延伸进入半导体主体的漂移区的沟槽区。所述半导体器件进一步包括沿着所述沟槽区的横向侧延伸的介电结构，其中所述介电结构的一部分是带电绝缘结构。所述半导体器件进一步包括在所述沟槽区中的栅电极以及具有不同于所述漂移区的导电类型的导电类型的主体区。所述带电绝缘结构邻接所述漂移区、所述主体区和所述介电结构的每一者且进一步邻接所述介电结构的栅电介质底侧或置于其下方。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 带电 结构 半导体器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：从表面延伸进入半导体主体的漂移区的沟槽区；沿着所述沟槽区的横向侧延伸的介电结构，其中所述介电结构的一部分是带电的绝缘结构；在所述沟槽区中的栅电极；具有不同于所述漂移区的导电类型的导电类型的主体区；以及其中所述带电绝缘结构邻接所述漂移区、所述主体区和所述介电结构的每一个且进一步邻接所述介电结构的栅电介质底侧或设置于其下方。
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