[发明专利]一种在牙釉质表面生长的氟羟基磷灰石膜无效
| 申请号： | 201310159831.9 | 申请日： | 2013-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN103230342A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 岳雪涛;徐丽娜;张丰庆;田清波;李静;井敏 | 申请（专利权）人： | 山东建筑大学 |
| 主分类号： | A61K6/033 | 分类号： | A61K6/033 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在牙釉质表面生长的氟羟基磷灰石膜，涉及利用化学法在牙釉质表面制备了具有一定结构和形貌的氟羟基磷灰石生长膜。其步骤为先将牙釉质样品放入30％磷酸中进行预处理，之后将牙釉质样品放入溶解了一定量的硝酸钙、磷酸氢二钠、乙二胺四乙酸二钠、氟化钠的溶液中浸泡，调节溶液的pH值和温度，经过3-7天，在牙釉质表面生长出棒状晶体，棒状晶体组成簇状结构分布在牙釉质表面，形成生长膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 釉质 表面 生长 羟基 磷灰石 | ||
【主权项】：
一种在牙釉质表面生长的氟羟基磷灰石膜，其特征在于：棒状氟羟基磷灰石晶粒形成簇结构，均匀分布在牙釉质表面形成一层生长膜。生长膜的制备步骤为：A、将牙釉质样品放入30％磷酸进行预处理，处理温度为20℃‑40℃，时间为20s‑60s；B、在去离子水中加入一定量的硝酸钙、磷酸氢二钠、乙二胺四乙酸二钠、氟化钠，并调整溶液pH值为5.0‑6.0，温度37℃‑60℃；C、将A步骤处理的牙釉质样品放入B步骤制备的溶液中，浸泡3‑7天，在牙釉质样品的表面就生长出形成簇结构的棒状晶体，簇结构在牙釉质表面形成生长膜。
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