[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310160772.7 | 申请日： | 2013-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN104134691B | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 杨红;王文武;闫江;马雪丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/146;H01L21/8232;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。一示例器件可以包括衬底；以及在衬底上形成的栅堆叠，所述栅堆叠包括高K栅介质层和栅导体层，其中，栅导体层包括第一金属性材料层和第二金属性材料层以及夹于它们之间的铝Al层或者Al和其他金属或金属化合物的叠层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；以及在衬底上形成的栅堆叠，所述栅堆叠包括高K栅介质层和栅导体层，其中，栅导体层包括第一金属性材料层和第二金属性材料层以及夹于它们之间的铝Al层或者Al和其他金属或金属化合物的叠层，以及其中，第一金属性材料层和第二金属性材料层各自均具有一定的Al元素分布，从而它们各自的功函数相对于未包含Al元素时的功函数发生改变。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310160772.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
