[发明专利]一种向下热蒸发介质保护膜层的制备方法有效
申请号: | 201310161118.8 | 申请日: | 2013-05-03 |
公开(公告)号: | CN103233201A | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
发明(设计)人: | 裴文俊;刘洪祥 | 申请(专利权)人: | 中国科学院光电技术研究所 |
主分类号: | C23C14/26 | 分类号: | C23C14/26;C23C14/08;G02B1/10 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 成金玉;贾玉忠 |
地址: | 610209 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提供一种向下热蒸发介质保护膜层的制备方法,其特征在于:装载介质材料的蒸发源位于真空室内部上方、待镀主镜位于下方自上而下蒸发,采用常见的热蒸方式。保护膜材料为一氧化硅(SiO),装载于经过特殊设计的钼蒸发舟中,加热升华向下运动,与氮气发生作用生成透明、牢固的SiOxNy保护膜层。本发明提供一种为大型主镜自上向下热蒸发介质保护膜层的制备方法,具有结构简单、成本低、应用广泛的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 向下 蒸发 介质 保护膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种向下热蒸发介质保护膜的制备方法,其特征在于:该方法包括如下步骤:步骤(1)、一氧化硅(SiO)蒸发材料装载于钼蒸发舟中,加热升华后蒸发;所述的钼蒸发舟由主体一、主体二和隔热层三部分组成;所述的钼蒸发舟的主体一部分内部有均匀对称的两个梯形倒立漏斗,用于改变蒸发气体材料的运行路线;所述的钼蒸发舟的主体二部分有均匀对称的两个梯形正立槽作为储料室,用于装载蒸发材料;所述的钼蒸发舟下方中间有一圆孔是作为气体材料出射口,主体一部分和主体二部分上下相扣使蒸发材料密封于整个室体内,储料室和出射口之间的区域就为气体运行区域,通过倒立漏斗和正立槽之间的空隙来改变气体的运行路线从而使气体带出的固体颗粒仍然留在所述的钼蒸发舟内,主体一和主体二两端与高压电极紧密相连,通过高电流加热整个储料室来实现材料的蒸发;所述的钼蒸发舟的隔热层分别包裹着主体一和主体二,通过焊接片与前者相连来实现固定,加热过程有很小电流通过,起到隔热作用;步骤(2)、采用自上向下的热蒸发方法,一氧化硅(SiO)气体运动方向朝下;步骤(3)、一氧化硅(SiO)气体运动于高纯氮气环境中,相互作用生成含有Si、O、N的物质SiOxNy;步骤(4)、氮化后的SiOxNy碰撞并粘附到下方玻璃基板表面,堆积形成保护膜层,该保护膜层为无色介质膜层,通过此方法能够对大型主镜进行介质保护膜层自上向下方式的制备。
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