[发明专利]波长下转移材料及其制备方法、用途有效
| 申请号： | 201310161557.9 | 申请日： | 2013-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN103274965A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 李亦林;董文基;任天辉;李志鹏 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C07C255/34 | 分类号： | C07C255/34;C07C253/30;H01L31/055;C08J5/18;C08L33/12;C08K5/315 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中;牛山 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种波长下转移材料及其制备方法、用途；所述材料结构式如（I）或（II）所示；本发明还涉及所述波长下转移材料的制备方法：带有功能基的四苯基乙烯中间体与具有缺电子性的基团通过Suzuki，Stille和Knoevenagel反应制得；本发明还涉及波长下转移材料的用途：将所述的波长下转移材料按一定比例掺杂入聚合物中，制成增效膜，并将其直接覆于CdS/CdTe太阳能电池的表面，界面间以折光率匹配液填充。本发明所制成的增效膜可以扩大CdS/CdTe太阳能电池对500nm以下的光子的吸收，使其效率提高6～11%，具有良好的应用前景。 |
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| 搜索关键词： | 波长 转移 材料 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
1.一种波长下转移材料，其特征在于，所述材料的结构式如式（I）或（II）所示：![]()
其中，结构式（I）中，R1为缺电子基团；R2为氢、与R1同类的缺电子基团或碳数为1～8的烷基；结构式（II）中，R2为氢、与R1同类的缺电子基团或碳数为1～8的烷基；R3为与R1同类的缺电子基团。
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