[发明专利]一种提高耗尽型硅基电光调制器调制效率的掺杂结构有效
| 申请号： | 201310161729.2 | 申请日： | 2013-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN103226252A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 曹彤彤;陈少武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高耗尽型硅基电光调制器调制效率的掺杂结构，该掺杂结构包括一硅基电光调制器调制区波导，该波导为脊型光波导结构，在该波导内分别有第一掺杂区域、第二掺杂区域、第三掺杂区域和第四掺杂区域，其中在该第二掺杂区域与第三掺杂区域的交界处形成类似U形的PN结电学调制结构，第一掺杂区域和第四掺杂区域分别接金属导线并与高频驱动电路相连接。将该掺杂结构应用到耗尽型硅基电光调制器中，能够提高调制器的调制效率，同时降低载流子吸收损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 耗尽 型硅基 电光 调制器 调制 效率 掺杂 结构 | ||
【主权项】：
一种提高耗尽型硅基电光调制器调制效率的掺杂结构，其特征在于，该掺杂结构包括一硅基电光调制器调制区波导，该波导为脊型光波导结构，在该波导内分别有第一掺杂区域、第二掺杂区域、第三掺杂区域和第四掺杂区域，其中在该第二掺杂区域与第三掺杂区域的交界处形成类似U形的PN结电学调制结构，第一掺杂区域和第四掺杂区域分别接金属导线并与高频驱动电路相连接。
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