[发明专利]制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的卷对卷生产方法

摘要

制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的卷对卷生产方法。（1）、在柔性基板的一侧表面，沉积钼层，以及一层铌附加层；（2）、在铌附加层的表面电镀多层铜、铟、镓和/或硒单元素层，或铜、铟、镓和/或硒之间构成的合金层，和/或单元素层与合金层的混合层；（3）、真空蒸发一层或多层硒，以及一层钠、钾或锂盐；（4）、将已镀有铜铟镓硒多层的基材在惰性气体气氛中，在350摄氏度至750摄氏度的恒定温度下淬火，以获得铜铟镓硒吸收层；（5）、沉积一层硫化镉、硫化铟或硫化锌作为在铜铟镓硒吸收层之上的缓冲层；（6）、真空溅射一层高阻抗透明导电氧化物，然后再溅射一层低阻抗透明导电氧化物于缓冲层的表面作为窗口层。本发明能够被方便地使用于制备高转换率而低成本的铜铟镓硒薄膜太阳能电池。

主权项

制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的卷对卷生产方法,包括:（1）、在柔性基板的一侧表面，用真空溅射法沉积厚度为大于等于100纳米小于等于2000纳米的钼层，以及一层厚度为大于等于5纳米小于等于400纳米的铌附加层;（2）、在铌附加层的表面电镀多层铜、铟、镓和/或硒单元素层,或铜、铟、镓和/或硒之间构成的合金层，和/或单元素层与合金层的混合层;（3）、真空蒸发一层或多层硒，以及一层钠、钾或锂盐,于电镀的铜铟镓多层的表面或铜铟镓硒多层的表面;（4）、将已镀有铜铟镓硒多层的基材在惰性气体气氛中，在350摄氏度至750摄氏度的恒定温度下淬火，以获得一个符合化学计量的均相的铜铟镓硒吸收层;（5）、通过化学浴沉积方法沉积一层厚度在30至300纳米的硫化镉、硫化铟或硫化锌作为在铜铟镓硒吸收层之上的缓冲层;（6）、真空溅射一层大于等于50纳米小于等于400 纳米的高阻抗透明导电氧化物,包括但不仅限于氧化锌（ZnO）、二氧化锡（SnO2),然后再溅射一层大于等于50 纳米小于等于400 纳米的低阻抗透明导电氧化物,包括但不仅限于氧化铟锡（ITO)或氧化铝锌(AZO)于缓冲层的表面作为窗口层。