[发明专利]将掺杂剂注入到III族氮化物结构中的方法及形成的器件

摘要

一种方法包括在衬底上形成III‑V族化合物层并且将主掺杂剂注入到III‑V族化合物层以形成源极区和漏极区。方法进一步包括将V族物质注入到源极区和漏极区。一种半导体器件包括衬底和衬底上方的III‑V族化合物层。半导体器件进一步包括III‑V族层中的源极区和漏极区，其中，源极区和漏极区包括第一掺杂剂和第二掺杂剂，并且第二掺杂剂包括V族材料。本发明还提供了将掺杂剂注入到III族氮化物结构中的方法及形成的器件。

主权项

一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成III‑V族化合物层；将主掺杂剂注入到所述III‑V族化合物层中以形成源极区和漏极区；以及将V族物质注入到所述源极区和所述漏极区中；在所述源极区和所述漏极区上方形成保护层；以及在所述III‑V族化合物层上方形成栅极结构，其中，所述栅极结构位于所述保护层上方。