[发明专利]同时具有表面钝化的铝蚀刻后残留物移除有效
申请号: | 201310163040.3 | 申请日: | 2013-03-12 |
公开(公告)号: | CN103305355B | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 魏嘉莹 | 申请(专利权)人: | EKC技术公司 |
主分类号: | C11D7/50 | 分类号: | C11D7/50;C11D7/60;C11D7/32;B08B3/08;C23C22/56 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 王颖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种Al蚀刻后残留物移除组合物,其混合有化学式为R‑COOH的链烷酸,其中R是分子式为CnH2n+1的直链或支链烷基,其中n是4至19,由此移除了所述蚀刻后残留物且同时钝化了暴露的Al表面。 | ||
搜索关键词: | 同时 具有 表面 钝化 蚀刻 残留物 | ||
【主权项】:
1.一种半导体清洁组合物,其包括:(a)50wt%至90wt%的一种或多种水混溶性有机溶剂,所述水混溶性有机溶剂选自由以下物质构成的组:四氢糠醇、乙二醇醚、二甘醇醚、脂肪族醇、N‑甲基‑2‑吡咯烷酮、环丁砜和二甲亚砜;(b)0.1wt%至1.0wt%的一种或多种氟化物,所述氟化物选自由以下物质构成的组:氟化铵、氟化氢铵、和四烷基氟化铵;(c)1wt%至5wt%的一种或多种鳌合剂,所述鳌合剂选自以下物质:有机酸、和胺;以及(d)50ppm至20000ppm的化学式为R‑COOH的链烷酸,其中R是分子式为CnH2n+1的直链或支链烷基,n是4至19。
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