[发明专利]存储装置及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310163860.2 申请日: 2013-05-07
公开(公告)号: CN103390621A 公开(公告)日: 2013-11-13
发明(设计)人: 林瑄智;黄仁瑞 申请(专利权)人: 南亚科技股份有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L21/8242
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 张然;李昕巍
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种存储装置及其制备方法,该存储装置包含一基材、第一和第二沟渠隔离、多个线形隔离、一第一字元线,以及一第二字元线。基材包含一主动区,其中该主动区包含一源极区域和一漏极区域。第一和第二沟渠隔离可相互平行延伸。多个线形隔离可与第一和第二沟渠隔离共同界定主动区。第一字元线可延伸通过主动区,形成于基材内,靠近第一沟渠隔离,并与该第一沟渠隔离界定出一第一区段。第二字元线可延伸通过主动区,形成于基材内,靠近第二沟渠隔离,并与该第二沟渠隔离界定出一第二区段,其中该第一区段和该第二区段的大小相当。
搜索关键词: 存储 装置 及其 制备 方法
【主权项】:
一种存储装置,其特征在于,包含:一基材,包含一主动区,该主动区包含一源极区域和一漏极区域;第一和第二沟渠隔离,相互平行延伸;多个线形隔离,与该第一和第二沟渠隔离共同界定该主动区;一第一字元线,延伸通过该主动区,形成于该基材内,靠近该第一沟渠隔离,并与该第一沟渠隔离界定出一第一区段;以及一第二字元线,延伸通过该主动区,形成于该基材内,靠近该第二沟渠隔离,并与该第二沟渠隔离界定出一第二区段,该第一区段和该第二区段的大小相当。
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