[发明专利]一种超薄碳纳米管薄膜及其制备方法和装置有效
| 申请号： | 201310164499.5 | 申请日： | 2013-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN104140089A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 周维亚;张强;王艳春;解思深 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;D01F9/12;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于制备碳纳米管薄膜的方法，包括：提供具有入口端和出口端的碳纳米管生长室，入口端和出口端之间至少包括相连通的第一级生长腔和第二级生长腔；使用于形成碳纳米管的前驱体材料至少在所述碳纳米管生长室的第一级生长腔内发生反应生成碳纳米管；使载气流入所述生长室，其中在所述第一级生长腔和第二生长腔的交界处，所述第一级生长腔在载气流动方向上的径向尺寸小于第二级生长腔的径向尺寸，且在第一级生长腔于第二级生长腔中开口的位置处，前驱体材料在载气的带动下产生吹泡过程，形成与第一级生长腔相连通的封闭的圆筒状碳纳米管薄膜。本发明提供的方法可连续直接制备不间断的超薄的自支撑的透明导电碳纳米管薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 纳米 薄膜 及其 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种用于制备碳纳米管薄膜的方法，包括：提供碳纳米管生长室，该碳纳米管生长室具有入口端和出口端，且在所述入口端和出口端之间至少包括相连通的第一级生长腔和第二级生长腔；使用于形成碳纳米管的前驱体材料至少在所述碳纳米管生长室的第一级生长腔内发生反应生成碳纳米管；使载气通过所述入口端流入所述生长室，并依次通过所述第一级生长腔和所述第二级生长腔，其中在所述第一级生长腔和第二生长腔的交界处，所述第一级生长腔在载气流动方向上的径向尺寸小于第二级生长腔的径向尺寸，且在第一级生长腔于第二级生长腔中开口的位置处，前驱体材料在载气的带动下产生吹泡过程，形成与第一级生长腔相连通的封闭的圆筒状碳纳米管薄膜；在所述生长室的出口端连续收集碳纳米管薄膜。
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