[发明专利]粒状多晶硅及其生产方法有效
| 申请号： | 201310164517.X | 申请日： | 2013-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN103387234A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 哈拉尔德·赫特莱因;赖纳·豪斯维特;迪特尔·韦德豪斯 | 申请（专利权）人： | 瓦克化学股份公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;张英 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及粒状多晶硅及其生产方法，粒状多晶硅，包含致密的基质，该致密的基质包含晶体尺寸从0.001μm至200μm的辐射针状晶群。用于生产粒状多晶硅的方法，包括：在流化床反应器中，在900°C-970°C的流化床温度下，由包含TCS和氢的具有20mol%至29mol%的TCS含量的气体混合物生产粒状硅，将在包含至少一个筛选板的筛选系统中获得的粒状硅分成至少两种或两种以上的筛选部分，并在研磨系统中研磨最小的筛选部分，以便给出具有100μm至1500μm尺寸并具有在400μm至900μm范围内的基于质量的中间值的籽晶，以及将这些籽晶供应至流化床反应器（1），并将进一步的筛选部分供应至流化床反应器（4），并在870°C-990°C的流化床温度下使用包含TCS和氢的具有5.1mol%至小于10mol%的TCS含量的气体混合物进行表面处理。 | ||
| 搜索关键词： | 粒状 多晶 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
粒状多晶硅，包含致密的基质，所述致密的基质包含晶体尺寸优选从0.001μm至200μm，更优选0.01μm至29μm并且最优选0.01μm至4μm的辐射针状晶群。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瓦克化学股份公司，未经瓦克化学股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310164517.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种橡胶-高延性水泥基复合材料及其制备方法
- 下一篇：一种排水防滑沥青混合料
