[发明专利]具有用于覆盖气隙的间隔件的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明是具有用于覆盖气隙的间隔件的半导体器件及其制造方法。用于制造存储器件的方法包含以下步骤：形成位线图案，其包括第一导电层和层叠在衬底上方的硬掩模；在该位线图案的侧壁上形成牺牲层；形成第二导电层，其与该牺牲层接触并与该位线图案相邻；使该第二导电层凹陷；通过移除该牺牲层来在该凹陷的第二导电层和该第一导电层之间形成气隙；以及在该硬掩模的侧壁上形成气隙覆盖层，以覆盖该气隙的入口。

主权项

一种半导体器件，包括：第一导电层；硬掩模，其层叠在所述第一导电层上方；第二导电层，其形成为邻接所述导电层的一侧；第三导电层，其层叠在所述第二导电层上方；气隙，其形成在所述第一导电层与所述第二导电层之间；以及气隙覆盖层，其形成在所述硬掩模和所述第三导电层之间，并覆盖所述气隙的入口。