[发明专利]制备TEM样品的半导体结构和方法有效
| 申请号： | 201310165225.8 | 申请日： | 2013-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN103280440A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 陈强;孙凤勤 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备TEM样品的半导体结构和方法，其中，所述半导体结构包括一衬底，且该衬底上设置有一测试层，所述测试层包括一测试结构，所述半导体结构还包括复制层，所述复制层包括一复制结构；所述复制结构位于所述测试结构的正上方，且该复制结构的上表面图案与该测试结构的上表面图案相同。所述方法为采用上述的半导体结构制备TEM样品，研磨所述半导体结构至所述复制层的上表面；根据所述复制层上表面的图案结构，制备所述测试结构的TEM样品。通过本发明能够提高TEM制样的效率和效果。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 tem 样品 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，应用于TEM制样工艺中，所述半导体结构包括一衬底，且该衬底上设置有一测试层，所述测试层包括一测试结构，其特征在于，所述半导体结构还包括复制层，所述复制层包括一复制结构；所述复制结构位于所述测试结构的正上方，且该复制结构的上表面图案与该测试结构的上表面图案相同。
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