[发明专利]一种激光剥离薄膜LED及其制备方法

摘要

本发明公开了一种激光剥离薄膜LED及其制备方法。本发明的激光剥离薄膜型LED的芯片单元包括：n型层、量子阱、在量子阱上的p型层、在p型层上镶嵌的周期性的金属纳米结构、p电极、绝缘层及n电极，上述结构倒扣在衬底上；以及在芯片一角的p焊盘。本发明使用了表面等离激元与量子阱结构的共振耦合作用，大大增加了大注入下LED的辐射复合和效率和出光效率，同时对发光效率低的黄绿光、紫外光LED也有一定的效果；采用激光划片和腐蚀的方法，分割芯片单元，减少外延片的翘曲，降低工艺难度和成本；p焊盘采用保护层和银层蒸镀工艺，简化了p焊盘的制作工艺，降低工艺成本；采用热磷酸粗化的方法，降低工艺成本，提高LED的出光效率。

主权项

一种激光剥离薄膜LED，其特征在于，所述激光剥离薄膜LED的芯片单元包括：芯片部分和衬底；芯片部分包括：n型层(1)，在n型层上具有与n电极的突起相对应的周期性n型盲孔，在n型层上的周期性的n型盲孔之间的量子阱(2)，在量子阱上的p型层(3)，在p型层上镶嵌的周期性的金属纳米结构(4)，在p型层上的p电极(5)，在p电极上及n型盲孔的侧壁上的绝缘层(6)，绝缘层上的n电极(7)，n电极具有周期性的突起，周期性的突起伸入至n型层内；衬底包括导电导热衬底(8)和n电极焊盘(9)；芯片部分倒扣在衬底上；以及在芯片部分一角的p焊盘(10)。