[发明专利]检测装置的制造方法、检测装置和检测系统

摘要

本公开涉及检测装置的制造方法、检测装置和检测系统。一种检测装置的制造方法，检测装置包括基板上的转换元件，每个转换元件包含第一电极与第二电极之间的半导体层以及半导体层与第二电极之间的杂质半导体层，该方法包括：相继形成半导体膜、杂质半导体膜和导电膜的膜形成步骤；部分地去除导电膜由此在第一电极上形成导电层的第一步骤；通过导电层之间的空间去除半导体膜和杂质半导体膜各自的一部分由此在第一电极上形成半导体层和杂质半导体层的第二步骤；以及去除导电层的与在第二步骤中形成的杂质半导体层的端部相比位于转换元件的更外侧的部分由此形成第二电极的第三步骤。

主权项

一种检测装置的制造方法，所述检测装置包括设置在基板上的多个转换元件，所述转换元件中的每一个包含设置在基板上的第一电极、设置在第一电极之上的第二电极、设置在第一电极与第二电极之间的半导体层以及设置在半导体层与第二电极之间的杂质半导体层，所述制造方法包括：膜形成步骤，依次在多个第一电极上方相继形成成为半导体层的半导体膜、成为杂质半导体层的杂质半导体膜和成为第二电极的导电膜；第一去除步骤，通过使用在导电膜上形成的抗蚀剂来部分地去除导电膜，由此在所述多个第一电极中的每一个上形成导电层；第二去除步骤，通过使用所述抗蚀剂，使用与导电膜的反应比与杂质半导体膜的反应和与半导体膜的反应慢的蚀刻剂通过多个导电层之间的空间进行蚀刻来去除半导体膜的一部分和杂质半导体膜的一部分，由此在所述多个第一电极中的每一个上形成半导体层和杂质半导体层；以及第三去除步骤，通过使用调整后的抗蚀剂来去除导电层的一部分，由此形成第二电极，其中所述部分与在第二去除步骤中形成的杂质半导体层的端部相比位于转换元件的外侧，所述调整后的抗蚀剂是通过去除上述抗蚀剂的一部分以使得上述抗蚀剂的端部和杂质半导体层的端部位于直线上而获得的。