[发明专利]微纳米尺度材料塞贝克系数的在线测量方法无效

专利信息
申请号: 201310165841.3 申请日: 2013-05-07
公开(公告)号: CN103267775A 公开(公告)日: 2013-08-28
发明(设计)人: 孟如男;王玮冰 申请(专利权)人: 江苏物联网研究发展中心
主分类号: G01N25/20 分类号: G01N25/20
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所 32104 代理人: 曹祖良
地址: 214135 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种微纳米尺度材料塞贝克系数的在线测量方法,包括步骤:加热被测热电堆的热端;当被测热电堆达到热稳态时,测量被测热电堆输出的开路电压Vout;使用一个设置在被测热电堆热端的CMOS温度测量电路在线测量被测热电堆热端的绝对温度T2,该热端的CMOS温度测量电路输出一代表绝对温度T2的电压VT2,测量VT2的值;使用另一个设置在被测热电堆冷端的CMOS温度测量电路在线测量被测热电堆冷端的绝对温度T1,该冷端的CMOS温度测量电路输出一代表绝对温度T1的电压VT1,测量VT1的值;计算被测热电堆的塞贝克系数S:S=Vout/[n(VT2-VT1)]。本方法测试参数值稳定,计算简单可靠。
搜索关键词: 纳米 尺度 材料 贝克 系数 在线 测量方法
【主权项】:
一种微纳米尺度材料塞贝克系数的在线测量方法,其特征在于,包括:a.加热被测热电堆(1)的热端,所述被测热电堆(1)包括n对热电偶,n≥1;当n大于1时,多对热电偶并行设置,并依次串联连接;b.当被测热电堆(1)达到热稳态时,测量被测热电堆(1)输出的开路电压Vout;c.当被测热电堆(1)达到热稳态时,使用一个设置在被测热电堆(1)热端的CMOS温度测量电路在线测量被测热电堆(1)热端的绝对温度T2,该热端的CMOS温度测量电路输出一代表绝对温度T2的电压VT2,测量VT2的值;使用另一个设置在被测热电堆(1)冷端的CMOS温度测量电路在线测量被测热电堆(1)冷端的绝对温度T1,该冷端的CMOS温度测量电路输出一代表绝对温度T1的电压VT1,测量VT1的值;d.计算被测热电堆(1)的塞贝克系数S:S=Vout/[n(VT2‑VT1)]。
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